功能
用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌握的，是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
主要技术指标
（1）磁场强度：4600高斯；
（2）测试温度：77K、273K可选；
（3）输出电流精度：2nA；
（4）输入电压范围：100nV-300V；
（5）自适应弹簧探针及夹具；
（6）可用于Si、ZnO、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InP、GaN等半导体材料测试。
用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌握的，是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
（1）磁场强度：4600高斯；
（2）测试温度：77K、273K可选；
（3）输出电流精度：2nA；
（4）输入电压范围：100nV-300V；
（5）自适应弹簧探针及夹具；
（6）可用于Si、ZnO、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InP、GaN等半导体材料测试。