近日，南开大学光电子薄膜器件与技术研究所张晓丹研究员在国际期刊Energy & Environmental Science上发表了题为“High Efficiency and High Open Circuit Voltage Quadruple-Junction Silicon Thin Film Solar Cells for Tomorrow’s Electronic Applications”的研究论文。该研究采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺制备出四结硅基薄膜太阳能电池，该薄膜太阳电池采用a-SiC/a-Si/a-SiGe/mc-Si结构，电池开路电压高达3.0V，较传统结构有大幅提高，效率达到15.03%。

a）四结硅基薄膜太阳电池原理图；

b）四结硅基薄膜太阳电池在光照下的J-V特性图；

c）作者团队的各种结构的四结硅基薄膜太阳电池的实验室和理论预测性能参数比较。